Значение слова транзистор

-й,м.

1. Полупроводниковый прибор, усиливающий генерирующий и преобразующий электрические колебания.

2. Портативный радиоприемник с такими приборами.

   прил. транзисторный, -ая, -ое (к 1 знач.). Т. приемник.

м.

1. Полупроводниковый прибор, генерирующий и усиливающий электрические колебания.

2. Название портативного радиоприемника на таких приборах.

ТРАНЗИСТОР (от англ. transfеr - переносить и резистор) полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трех областей с различной - электронной (n) и дырочной (p) - проводимостью. Изобретен в 1948 американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином. По физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные (чаще называют просто транзисторами) и униполярные (чаще называют полевыми транзисторами). В первых, содержащих два или более электронно-дырочных перехода, носителями заряда служат как электроны, так и дырки, во вторых - либо электроны, либо дырки. Термин "транзистор" нередко используют для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах.

(от англ. transfer ≈ переносить и resistor ≈ сопротивление), электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в 1948 У. Шокли , У. Браттейном и Дж. Бардином (Нобелевская премия, 1956). Т. составляют два основных крупных класса: униполярные Т. и биполярные Т. В униполярных Т. протекание тока через кристалл обусловлено носителями заряда только одного знака ≈ электронами или дырками (см. Полупроводники ). Подробно об униполярных Т. см. в ст. Полевой транзистор . В биполярных Т. (которые обычно называют просто Т.) ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков. Такой Т. представляет собой (рис. 1) монокристаллическую полупроводниковую пластину, в которой с помощью особых технологических приёмов созданы 3 области с разной проводимостью: дырочной (p) и электронной (n). В зависимости от порядка их чередования различают Т. p≈n≈p-типа и n≈p≈n-типа. Средняя область (её обычно делают очень тонкой) ≈ порядка нескольких мкм, называется базой, две другие ≈ эмиттером и коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора электронно-дырочными переходами (р≈n-переходами): эмиттерным (ЭП) и коллекторным (КП). От базы, эмиттера и коллектора сделаны металлические выводы. Рассмотрим физические процессы, происходящие в Т., на примере Т. n≈p≈n-типа (рис. 1, а). К ЭП прикладывают напряжение Uбэ, которое понижает потенциальный барьер перехода и тем самым уменьшает его сопротивление электрическому току (то есть ЭП включают в направлении пропускания электрического тока, или в прямом направлении), а к КП ≈ напряжение Ukб, повышающее потенциальный барьер перехода и увеличивающее его сопротивление (КП включают в направлении запирания или в обратном направлении). Под действием напряжения Uбэ через ЭП течёт ток iэ, который обусловлен главным образом перемещением (инжекцией) электронов из эмиттера в базу. Проникая сквозь базу в область КП, электроны захватываются его полем и втягиваются в коллектор. При этом через КП течёт коллекторный ток ik. Однако не все инжектированные электроны достигают КП: часть их по пути рекомбинирует с основными носителями в базе ≈ дырками (число рекомбинировавших электронов тем меньше, чем меньше толщина базы и концентрация дырок в ней). Так как в установившемся режиме количество дырок в базе постоянно, то это означает, что часть электронов уходит из базы в цепь ЭП, образуя ток базы iб таким образом, iэ = ik + iб. Обычно iб<< ik, поэтому ik » iэ и Dik » Diэ. Величина a = Dik/Diэ называется коэффициентом передачи тока (иногда ≈ коэффициентом усиления по току), зависит от толщины базы и параметров полупроводникового материала базы и для большинства Т. близка к

1. Всякое изменение Uбэ вызывает изменение iэ (в соответствии с вольтамперной характеристикой p≈n-перехода) и, следовательно, ik. Сопротивление КП велико, поэтому сопротивление нагрузки Rн в цепи КП можно выбрать достаточно большим, и тогда Dik будет вызывать значительные изменение напряжения на нём. В результате на Rн можно получать электрические сигналы, мощность которых будет во много раз превосходить мощность, затраченную в цепи ЭП. Подобные же физические процессы происходят и в Т. р≈n≈p-типа (рис. 1, б), но в нём электроны и дырки меняются ролями, а полярности приложенных напряжений должны быть изменены на обратные. Эмиттер в Т. может выполнять функции коллектора, а коллектор ≈ эмиттера (в симметричных Т.), для этого достаточно изменить полярность соответствующих напряжений.

   В соответствии с механизмом переноса не основных носителей через базу различают бездрейфовые Т., в базе которых ускоряющее электрическое поле отсутствует и заряды переносятся от эмиттера к коллектору за счёт диффузии, и дрейфовые Т., в которых действуют одновременно два механизма переноса зарядов в базе: их диффузия и дрейф в электрическом поле. По электрическим характеристикам и областям применения различают Т. маломощные малошумящие (используются во входных цепях радиоэлектронных усилительных устройств), импульсные (в импульсных электронных системах), мощные генераторные (в радиопередающих устройствах), ключевые (в системах автоматического регулирования в качестве электронных ключей), фототранзисторы (в устройствах, преобразующих световые сигналы в электрические с одновременным усилением последних) и специальные. Различают также низкочастотные Т. (в основном для работы в звуковом и ультразвуковом диапазонах частот), высокочастотные (до 300 Мгц) и сверхвысокочастотные (свыше 300 Мгц).

   В качестве полупроводниковых материалов для изготовления Т. используют преимущественно германий и кремний . В соответствии с технологией получения в кристалле зон с различными типами проводимости (см. Полупроводниковая электроника ) Т. делят на сплавные, диффузионные, конверсионные, сплавно-диффузионные, мезатранзисторы, эпитаксиальные, планарные (см. Планарная технология ) и планарно-эпитаксиальные. По конструктивному исполнению Т. подразделяются на Т. в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах и бескорпусные (рис. 2а, 2б, 2в); последние имеют временную защиту кристалла от воздействия внешней среды (тонкий слой лака, смолы, легкоплавкого стекла) и герметизируются совместно с устройством, в котором их устанавливают. Наибольшее распространение получили планарные и планарно-эпитаксиальные кремниевые Т.

   С изобретением Т. наступил период миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры на базе достижений быстро развивающейся полупроводниковой электроники. По сравнению с радиоэлектронной аппаратурой первого поколения (на электронных лампах ) аналогичная по назначению радиоэлектронная аппаратура второго поколения (на полупроводниковых приборах, в том числе на Т.) имеет в десятки и сотни раз меньшие габариты и массу, более высокую надёжность и потребляет значительно меньшую электрическую мощность. Размеры полупроводникового элемента современного Т. весьма малы: даже в самых мощных Т. площадь кристалла не превышает нескольких мм

2. Надёжность работы Т. (определяется по среднему статистическому времени наработки на один отказ) характеризуется значениями ~105ч, достигая в отдельных случаях 106ч. В отличие от электронных ламп Т. могут работать при низких напряжениях источников питания (до нескольких десятых долей в), потребляя при этом токи в несколько мка. Мощные Т. работают при напряжениях 10≈30 в и токах до нескольких десятков а, отдавая в нагрузку мощность до 100 вт и более.

   Верхний предел диапазона частот усиливаемых Т. сигналов достигает 10 Ггц, что соответствует длине волны электромагнитных колебаний 3 см. По шумовым характеристикам в области низких частот Т. успешно конкурируют с малошумящими электрометрическими лампами . В области частот до 1 Ггц Т. обеспечивают значение коэффициента шума не свыше 1,5≈3,0 дб. На более высоких частотах коэффициент шума возрастает, достигая 6≈10 дб на частотах 6≈10 Ггц.

   Т. является основным элементом современных микроэлектронных устройств. Успехи планарной технологии позволили создавать на одном кристалле полупроводника площадью 30≈35 мм2 электронные устройства, насчитывающие до нескольких десятков тыс. Т. Такие устройства, получившие название интегральных микросхем (ИС, см. Интегральная схема ), являются основой радиоэлектронной аппаратуры третьего поколения. Примером такой аппаратуры могут служить наручные электронные часы , содержащие от 600 до 1500 Т., и карманные электронные вычислительные устройства (несколько тыс. т.). Переход к использованию ИС определил новое направление в конструировании и производстве малогабаритной и надёжной радиоэлектронной аппаратуры, получившее название микроэлектроники . Достоинства Т. в сочетании с достижениями технологии их производства позволяют создавать ЭВМ, насчитывающие до нескольких сотен тыс. элементов, размещать сложные электронные устройства на борту самолётов и космических летательных аппаратов, изготовлять малогабаритную радиоэлектронную аппаратуру для использования в самых различных областях промышленности, в медицине, быту и т.д. Наряду с достоинствами Т. (как и др. полупроводниковые приборы) имеют ряд недостатков, в первую очередь ≈ ограниченный диапазон рабочих температур. Так, германиевые Т. работают при температурах не свыше 100 ╟С, кремниевые 200 ╟С. К недостаткам Т. относятся также существенные изменения их параметров с изменением рабочей температуры и довольно сильная чувствительность к ионизирующим излучениям. См. также Дрейфовый транзистор , Импульсный транзистор , Конверсионный транзистор , Лавинный транзистор .

   Лит.: Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, [2 изд.], М., 1970; Кремниевые планарные транзисторы, под ред. Я. А. Федотова, М., 1973; З и С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., М., 197

3. Я. А. Федотов.

Транзи́стор , полупроводнико́вый трио́д — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора — изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.

В полевых и биполярных транзисторах управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике . В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника ( логика , память , процессоры , компьютеры , цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми .

В 1956 году за изобретение биполярного транзистора Уильям Шокли , Джон Бардин и Уолтер Браттейн получили Нобелевскую премию по физике .

На принципиальных схемах обозначается «VT» или «Q». В русскоязычной литературе и документации до 1970-х гг. применялись обозначения «Т», «ПП» .

Транзи́стор:

• транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала;
• транзистор — разговорное название транзисторного радиоприёмника ;
• «Транзистор» — минский завод по выпуску полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Завод «Транзистор» — предприятие военно-промышленного комитета Белоруссии . Производитель полупроводниковых приборов и интегральных микросхем , в том числе специализированных — для нужд ВПК и космической отрасли. Основан в 1968 году на базе Минского лампового завода; входит в состав ОАО « Интеграл ».

Кристаллы микросхем завода в 2008 году применялись в каждом втором мобильном телефоне, выпущенном в мире.

Предприятие производит микропроцессорный комплект серии 588 — советский оригинальный комплект ИМС, не имеющий прямых аналогов. Кодировки микросхем управляющей памяти комплекта реализуют систему команд микроЭВМ « Электроника-60 ».

В конце 1980-х на заводе выпускались микроконтроллеры серии 1835, входившие в состав микрокомпьютеров МК-90 , МК-92 , МС-1504 и т. д., а также универсальный 8-разрядный микропроцессор КР1858ВМ3 с системой команд Z80 (КМОП-аналог Zilog Z80 ).

В 2012 году выпускал транзисторы КТ315 и КТ361 в корпусе ТО-92 , получившие широкое распространение в электронной промышленности СССР, а также стабилизаторы серии 78хх .

Совместно с БГУИР в 2006 году на заводе «Транзистор» создан филиал кафедры «Электронная техника и технологии».